超结MOS功率管

SVS20N60F/S/T/PN/FJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。\n\n 此外，SVS20N60F/S/T/PN/FJ应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。 • 20A,600V, RDS(on)(typ.)=0.16W@VGS=10V \n• 低栅极电荷\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;

Silan

士兰微

超结MOS功率管

SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。\n\n 此外，SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。 • 20A,600V, RDS(on)(typ.)=0.16W@VGS=10V \n• 低栅极电荷\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;

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N-channel Power MOSFET

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N-channel TO-3P MOSFET

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