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SVS14N60TD2

超结MOS功率管

SVS14N60F(FJ)(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。\n\n 此外,SVS14N60F(FJ)(T)D2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。\n\n • 11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V \n• 低栅极电荷\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力\n;

Silan

士兰微

SVSP14N60FJDE2

TO-220F

SILAN/士兰微

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Vdss (V):

    600

  • Id (A)Tc=25℃:

    14

  • Vgs (th) (V):

    2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (Ω):

    250

  • Rds (on) @10Vmax (Ω):

    280

  • Qg@10Vtyp (nC):

    28

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SILAN/士兰微
25+
TO-220-3L
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
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士兰微
24+
10000
原装现货
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SILAN/士兰微
24+
TP-220FJ-3L
60000
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SILAN
2450+
TO-220F-3L
9850
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11917
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TO-220F
8500
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更多SVS14N60TD2供应商 更新时间2025-11-4 9:02:00