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SVS11N60KD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	超结MOS功率管 SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。\n\n 此外，SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。\n\n • 11A,600V, RDS(on)(typ.)=0.3W@VGS=10V \n• 创新高压技术\n• 低栅极电荷\n• 较强的雪崩能力\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;	Silan 士兰微	Silan
SVSP14N60FJDE2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	SILAN/士兰微上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	SILAN/士兰微

技术参数

Polarity：
N
Vdss (V)：
600
Id (A)Tc=25℃：
11
Vgs (th) (V)：
2.0~4.0
Rds(on) @10V typ (Ω)：
300
Rds (on) @10Vmax (Ω)：
360
Qg@10Vtyp (nC)：
22

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SVS11N60KD2供应商更新时间2025-10-31 14:42:00

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