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SVF9N90F	文件：1.59166 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi 8.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
9N90	文件：299.08 Kbytes Page：6 Pages	900VN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N90	文件：433.85 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheUTC9N90usesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)≤1.2Ω@VGS=10V,ID=4.5A U	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N90	文件：407.13 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell9N90isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof9A,fastswitchi	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
9N90	文件：255.65 Kbytes Page：6 Pages	9A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N90H	文件：178.3 Kbytes Page：7 Pages	9A900VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
9N90L	文件：58.2 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed •DESCRIPTION •DrainCurrentID=9A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) •FastSwitchingSpeed •APPLICATIONS •Generalpurposepoweramplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
9N90-Q	文件：246.23 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC9N90-QusesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N90S	文件：140.39 Kbytes Page：7 Pages	9A900VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
AOK9N90	文件：422.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOK9N90	文件：295.6 Kbytes Page：5 Pages	900V,9AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF9N90	文件：301.26 Kbytes Page：5 Pages	900V,9AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF9N90	文件：295.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FIR9N90AFG	文件：2.10812 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR9N90ANG	文件：2.19176 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR9N90APG	文件：2.31293 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FML9N90	文件：116 Kbytes Page：2 Pages	9Amps900VoltageNChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWisdom’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thesedevicesarewellsuitedforhighefficiencyswitchmod	FCI Amphenol ICC	FCI
FQA9N90	文件：679.15 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA9N90	文件：814.06 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA9N90C	文件：804.61 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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