平面高压MOS功率管

SVF9N65F/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 9A，650V，RDS(on)(典型值)=0.98Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.10915 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.10568 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching Speed

文件：67.88 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

9A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：177.83 Kbytes 页数：5 Pages

UTC

友顺