F-CellTM系列高压MOSFET

SVF8N65RD(MJ) N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 8A，650V，RDS(on)(典型值)=1.2Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.59159 Mbytes 页数：4 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.10912 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET

文件：1.36141 Mbytes 页数：8 Pages

SEMIPOWER

芯派科技