首页 >SVF4N70MJ>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

SVF4N70MJ

F-CellTM系列高压MOSFET

SVF4N70MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。 • 4A,700V,RDS(on)(典型值)=2.5Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

SVF4N70MJG

F-CellTM系列高压MOSFET

Silan

士兰微

SW4N70D

N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220F MOSFET

文件:1.09998 Mbytes 页数:7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

SW4N70K

N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET

文件:744.95 Kbytes 页数:6 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

SW4N70L

N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET

Features  High ruggedness  Low RDS(ON) (Typ 0.8Ω)@VGS=10V  Low Gate Charge (Typ 18nC)  Improved dv/dt Capability  100 Avalanche Tested  Application: LED,Charge, Adaptor General Description This power MOSFET is produced with advanced super junction technology of SAMWIN. This techno

文件:1.05236 Mbytes 页数:7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Vdss (V):

    700

  • Id (A)Tc=25℃:

    4

  • Vgs (th) (V):

    2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ):

    2.5

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ):

    3

  • Qg@10Vtyp (nC):

    13.33

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SILAN/士兰微
25+
TO-251J-3L
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
询价
士兰微
24+
10000
原装现货
询价
SILAN/士兰微
24+
TO251
6000
原装房间现货可出样品
询价
士兰微
24+
TO251-3L
38520
一级代理/放心购买
询价
SILAN/士兰微
24+
TO251
19000
只做正品原装现货
询价
SILAN/士兰微
2022+
TO-251
50000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
SILAN/士兰微
2022+
TO-251
30000
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十
询价
士兰微
25+
TO-251J-3
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
SILAN/士兰微
24+
TO-251
65000
专营SILAN士兰微原装保障
询价
SILAN
25+
TO-220F
4100
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
更多SVF4N70MJ供应商 更新时间2025-11-17 13:59:00