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|---|---|---|---|---|
SVF4N70MJ | F-CellTM系列高压MOSFET SVF4N70MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。 • 4A,700V,RDS(on)(典型值)=2.5Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力; | Silan 士兰微 | Silan | |
F-CellTM系列高压MOSFET | Silan 士兰微 | Silan | ||
N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220F MOSFET 文件:1.09998 Mbytes 页数:7 Pages | SEMIPOWER 芯派科技 | SEMIPOWER | ||
N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET 文件:744.95 Kbytes 页数:6 Pages | SEMIPOWER 芯派科技 | SEMIPOWER | ||
N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.8Ω)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) Improved dv/dt Capability 100 Avalanche Tested Application: LED,Charge, Adaptor General Description This power MOSFET is produced with advanced super junction technology of SAMWIN. This techno 文件:1.05236 Mbytes 页数:7 Pages | SEMIPOWER 芯派科技 | SEMIPOWER |
技术参数
- Polarity:
N
- Vdss (V):
700
- Id (A)Tc=25℃:
4
- Vgs (th) (V):
2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ):
2.5
- Rds (on) @10Vmax (mΩ):
3
- Qg@10Vtyp (nC):
13.33
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-251J-3L |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
士兰微 |
24+ |
10000 |
原装现货 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO251 |
6000 |
原装房间现货可出样品 |
询价 | ||
士兰微 |
24+ |
TO251-3L |
38520 |
一级代理/放心购买 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO251 |
19000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-251 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
士兰微 |
25+ |
TO-251J-3 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-251 |
65000 |
专营SILAN士兰微原装保障 |
询价 | ||
SILAN |
25+ |
TO-220F |
4100 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
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