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SVF4N65CAFJH	文件：300 bytes Page：1 Pages	F-CellTM系列C版高压MOSFET SVF4N65CAFJH N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;	Silan 士兰微	Silan
SVF4N65D	文件：1.1635 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.1635 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SVF4N65F	文件：1.31294 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.31294 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SVF4N65T	文件：1.09026 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.09026 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Polarity：
N
Vdss (V)：
650
Id (A)Tc=25℃：
4
Vgs (th) (V)：
2.0~4.0
Rds(on) @10V typ (mΩ)：
2.3
Rds (on) @10Vmax (mΩ)：
2.7
Qg@10Vtyp (nC)：
13

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SVF4N65CAFJH供应商更新时间2025-11-17 16:29:00

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