平面高压MOS功率管

SVF3878APN N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子特有的F-CellTM结构VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器， H桥PWM马达驱动。 • 9A，900V，RDS(on) (typ.)=1.0Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低Crss\n• 开关速度快  \n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

平面高压MOS功率管

SVF3878P7 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器， H桥PWM马达驱动。 • 9A，900V，RDS(on) (typ.)=1.0Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低Crss\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力;

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士兰微

F-CellTM系列高压MOSFET

SVF3878PN N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子特有的F-CellTM结构VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器， H桥PWM马达驱动。 • 9A，900V，RDS(on) (typ.)=1.0Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低Crss\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力;

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士兰微

Phase Shift Resonant Controller

文件：743.09 Kbytes 页数：19 Pages

TI

德州仪器

Phase Shift Reasonant Controller

文件：5.47512 Mbytes 页数：23 Pages

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Phase Shift Resonant Controller

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