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SVF20NE50PN	文件：300 bytes Page：1 Pages	F-CellTM系列高压MOSFET SVF20NE50PN是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 20A，500V，RDS(on)（典型值）=0.18Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;	Silan 士兰微	Silan
SVF2N60DTR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	SILAN士兰上传：深圳庞田科技有限公司	SILAN士兰
SVF2N60F	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	SILAN士兰上传：深圳庞田科技有限公司	SILAN士兰
SVF2N60MJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-251J	SL 上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	SL
SVF2N65DTR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	SILAN 士兰微上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	SILAN

技术参数

Polarity：
N
Vdss (V)：
500
Id (A)Tc=25℃：
20
Vgs (th) (V)：
2.0~4.0
Rds(on) @10V typ (mΩ)：
0.18
Rds (on) @10Vmax (mΩ)：
0.27
Qg@10Vtyp (nC)：
58.38

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SVF20NE50PN供应商更新时间2025-11-17 14:08:00

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