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SVF20N60F

平面高压MOS

SVF20N60F/PN 是 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。\n\n • 20A,600V,RDS(on)(典型值)=0.28Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt能力;

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士兰微

SW20N60

N-channel Power MOSFET

文件:741.67 Kbytes 页数:7 Pages

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芯派科技

SW20N60U

N-channel TO-3P MOSFET

文件:674.2 Kbytes 页数:5 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

SWW20N60

N-channel Power MOSFET

文件:741.67 Kbytes 页数:7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Vdss (V):

    600

  • Id (A)Tc=25℃:

    20

  • Vgs (th) (V):

    2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ):

    0.28

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ):

    0.35

  • Qg@10Vtyp (nC):

    47

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更多SVF20N60F供应商 更新时间2025-10-31 20:07:00