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| SVF20N60F | 平面高压MOS SVF20N60F/PN 是 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。\n\n • 20A,600V,RDS(on)(典型值)=0.28Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt能力; | Silan 士兰微 | Silan | |
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技术参数
- Polarity:N 
- Vdss (V):600 
- Id (A)Tc=25℃:20 
- Vgs (th) (V):2.0~4.0 
- Rds(on) @10V typ (mΩ):0.28 
- Rds (on) @10Vmax (mΩ):0.35 
- Qg@10Vtyp (nC):47 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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            更新时间2025-10-31 20:07:00
        
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