平面高压MOS功率管

SVF18N65FJD  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 18A，650V，RDS(on)(典型值)=0.48Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-247 MOSFET

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SEMIPOWER

芯派科技

Static Drain-Source On-Resistance

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ISC

无锡固电

18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电