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SVF14N25CD	文件：303.71 Kbytes Page：7 Pages	14A, 250V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVF14N25CDisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryF-CellTM high-voltageplanarVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,pro	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF14N25CDTR	文件：303.71 Kbytes Page：7 Pages	Marking：14N25CD；Package：TO-252-2L；14A, 250V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVF14N25CDisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryF-CellTM high-voltageplanarVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,pro	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
14N25	文件：157.91 Kbytes Page：8 Pages	14A,50V,0.100Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
14N25	文件：220.35 Kbytes Page：8 Pages	14A,50V,0.100Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MDD14N25C	文件：844.18 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET250V,10.2A,0.28(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Featu	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD14N25C	文件：268.67 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDD14N25CRH	文件：844.18 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET250V,10.2A,0.28(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Featu	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP14N25C	文件：846.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET250V,14A,0.28(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP14N25CTH	文件：320.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP14N25CTH	文件：846.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET250V,14A,0.28(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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