平面高压MOS功率管

SVF12N65FQ  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.64Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

12A, 650V N-CHANNEL MOSFET

文件：403.25 Kbytes 页数：10 Pages

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12A, 650V N-CHANNEL MOSFET

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