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SVC383T-TL-E数据手册分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）规格书PDF
SVC383T-TL-E规格书详情
简介
SVC383T-TL-E属于分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）。由制造生产的SVC383T-TL-E二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类，并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小，并且能够用作可变电容二极管，但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。
技术参数
更多- 制造商编号
：SVC383T-TL-E
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电容比
：24.5
- 电容比条件
：C1/C6.5
- 电压 - 峰值反向（最大值）
：33V
- 二极管类型
：1 对共阴极
- 不同 Vr，F 时的 Q 值
：200 @ 1V，1MHz
- 工作温度
：125°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：SC-96
- 供应商器件封装
：3-CPH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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