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SUR50N03-06AP

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SQD50N03-06P

AutomotiveN-Channel30V(D-S)175°CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SQR50N03-06P

AutomotiveN-Channel30V(D-S)175°CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUD50N03-06AP

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUD50N03-06AP

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUD50N03-06AP

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

features TrenchFETPowerMOSFET OptimizedforLow–SideSynchronous RectifierOperation 100RgTested applications DC/DCConverters SynchronousRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUD50N03-06P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES DrainCurrent-ID=84A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUD50N03-06P

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SUD50N03-06P

N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUR50N03-06P

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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FUJITSU/富士通
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TO-220F
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VISHAY/威世
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更多SUR50N03-06AP供应商 更新时间2025-7-26 14:01:00