| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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SILICONIXTO220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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5年
留言
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SILICONIXTO-220 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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8年
留言
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SILICONIXTO-220AB |
6230 |
24+ |
只做原装正品 |
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11年
留言
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VISHARTO220 |
9800 |
25+ |
全新原装现货 假一赔十 |
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10年
留言
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VISHAYTO-220 |
10005 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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14年
留言
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VISHAYTO-220 |
19567 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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18年
留言
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VISHAY / SILICONIX |
50 |
25+ |
公司优势库存 热卖中! |
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6年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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12年
留言
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VishayTO-220 |
6200 |
17+ |
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17年
留言
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VISHAYTO-220 |
8866 |
24+ |
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VBsemiTO220 |
5333 |
25+ |
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5年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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VISHAY/威世TO-220 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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5年
留言
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VISHYTO252 |
37500 |
25+ |
原装正品现货,价格有优势! |
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7年
留言
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VBsemiTO220 |
10065 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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5年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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6年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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VISHARTO220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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8年
留言
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5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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3000 |
2023+ |
进口原装现货 |
SUP75N05采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SUP75N05图片
SUP75N05-06中文资料Alldatasheet PDF
更多SUP75N05-06功能描述:MOSFET 50V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75N05-06A制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SUP75N05-06A-E3功能描述:MOSFET 50V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75N05-06-E3功能描述:MOSFET 50V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75N05-07功能描述:MOSFET 55V 75A 158W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75N05-07-E3功能描述:MOSFET 55V 75A 158W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP75N05-07-T1-E3制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 75A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr






























