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|---|---|---|---|---|
SUM40N10-30 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
SUM40N10-30 | N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
SUM40N10-30 | N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel100-V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SUM40N10-30
- 功能描述：
MOSFET 100V 40A 107W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
501543 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-263 |
8866 |
询价 | |||
VISHAY |
12+ |
TO263 |
2500 |
原装现货/特价 |
询价 | ||
VISHAY |
08+ |
TO-263 |
20000 |
普通 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
D2PAK(TO-263) |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO263 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
VISHAY |
1932+ |
TO-263 |
777 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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