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SUM110N04-03P	文件：109.11 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 40-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：109.11 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUM110N04-03P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SUM110N04-03	文件：51.66 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 40-V (D-S) 200C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 200°C Junction Temperature • New Package with Low Thermal Resistance APPLICATIONS • Automotive - ABS - 12-V EPS - Motor Drives 文件：51.66 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SUM110N04-03L	文件：306.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：306.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUM110N04-03L	文件：40.65 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET 文件：40.65 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
SUM110N04-03P
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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