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SUD50N10-18P-E3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
SUD50N10-18P-E3
- 功能描述：
MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2020+ |
TO252 |
80000 |
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VISHAY |
06+ |
TO-252 |
47 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
7650 |
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VISHAY |
20+ |
DPAK |
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Vishay(威世) |
N/A |
33800 |
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VISHAY |
2018+ |
TO252 |
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Vishay |
23+ |
NA |
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VISHAY |
22+23+ |
TO252 |
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VISHAY/威世 |
TO-252 |
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VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
18800 |
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询价 |
