isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 17.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =12mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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