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SUD50N03-10AP	文件：318.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 10mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：318.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUD50N03-10AP	文件：917.49 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：917.49 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SUD50N03-10AP	文件：80.29 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized 文件：80.29 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多SUD50N03-10AP供应商更新时间2025-10-4 14:14:00