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SUD40N10-25

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:299.29 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUD40N10-25

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

文件:62.6 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SUD40N10-25

N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET

文件:151.64 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SUD40N10-25

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:168.62 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SUD40N10-25

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay

威世科技

SUD40N10-25_17

N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET

文件:151.64 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SUD40N10-25_V01

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:168.62 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SUD40N10-25-E3

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:983.1 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUD40N10-25-E3

场效应管(MOSFET)

Tokmas

托克马斯

Tokmas

详细参数

  • 型号:

    SUD40N10-25

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 40A 33W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUD40N10-25供应商 更新时间2025-10-3 22:59:00