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SQD23N06-31L	文件：234.35 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveN-Channel150V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SQD23N06-31L	文件：184.59 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveN-Channel60V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •AEC-Q101qualifiedd •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUD23N06-31	文件：464.37 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SUD23N06-31	文件：448.85 Kbytes Page：6 Pages	SUD23N06 FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)25m(VGS=10V) RDS(ON)30m(VGS=4.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SUD23N06-31	文件：163.29 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel60V(D-S),MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUD23N06-31	文件：887.28 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SUD23N06-31	文件：308.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUD23N06-31	文件：795.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SUD23N06-31	文件：157.54 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S),MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK

详细参数

型号：
SUD23N06-31L
功能描述：
MOSFET 60V 23A 100W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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