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SUD06N10-225L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SUD06N10-225L

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SUD06N10-225L

N-Channel 100-V (D-S) 175Celsius MOSFET

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SUD06N10-225L

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

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威世科技威世科技半导体

SUD06N10-225L

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SUD06N10-225L_06

N-Channel 100-V (D-S) 175Celsius MOSFET

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SUD06N10-225L_08

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

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威世科技威世科技半导体

SUD06N10-225L-E3

N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

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SUD06N10-225L-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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威世科技威世科技半导体

SUU06N10-225L

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SUD06N10-225L

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 6.5A 20W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUD06N10-225L供应商 更新时间2025-5-20 16:36:00