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SUB85N06-05	文件：49.24 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET N-Channel 60-V (D-S) 175°C MOSFET 175°C Rated Maximum Junction Temperature TranchFET® Power MOSFETs 文件：49.24 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SUB85N06-05	文件：345.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUB85N06-05	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SUP85N06-05	文件：372.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUP85N06-05	文件：1.42525 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.42525 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SUP85N06-05	文件：49.24 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET N-Channel 60-V (D-S) 175°C MOSFET 175°C Rated Maximum Junction Temperature TranchFET® Power MOSFETs 文件：49.24 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
SUB85N06-05
功能描述：
MOSFET 60V 85A 250W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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