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SUB85N03-07P	文件：345.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUB85N03-07P	文件：72.38 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUB85N03-07P-GE3	文件：985.87 Kbytes Page：8 Pages	Marking：I2PAK；Package：TO-262；N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SUM85N03-07P	文件：307.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUM85N03-07P	文件：47.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP85N03-07P	文件：333.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUP85N03-07P	文件：72.38 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP85N03-07P	文件：64.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET N-Channel30-V(D-S)175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET®PowerMOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SUB85N03-07P
功能描述：
MOSFET 30V 85A 107W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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