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STX13003数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

STX13003

参数属性

STX13003 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A TO92-3

功能描述

高压快速切换NPN功率晶体管
TRANS NPN 400V 1A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:00:00

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STX13003规格书详情

描述 Description

The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

特性 Features

• High voltage capability
• Very high switching speed

简介

STX13003属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的STX13003晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STX13003

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :400

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :700

  • Collector Current_max(A)

    :1

  • Dc Current Gain_min

    :5

  • Dc Current Gain_max

    :25

  • Test Condition for hFE (IC)

    :1

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :2

  • VCE(sat)_max(V)

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :250

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