STX13003数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
STX13003 |
参数属性 | STX13003 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A TO92-3 |
功能描述 | 高压快速切换NPN功率晶体管 |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 12:00:00 |
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STX13003规格书详情
描述 Description
The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.
特性 Features
• High voltage capability
• Very high switching speed
简介
STX13003属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的STX13003晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:STX13003
- 生产厂家
:ST
- Marketing Status
:Active
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:400
- Collector-Base Voltage_max(V)
:700
- Collector Current_max(A)
:1
- Dc Current Gain_min
:5
- Dc Current Gain_max
:25
- Test Condition for hFE (IC)
:1
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:2
- VCE(sat)_max(V)
:1
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:1
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:250
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
TO-92 |
16900 |
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ST/意法 |
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STM |
22+ |
SMD |
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ST/意法 |
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TO92 |
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ST/意法 |
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ST |
TO-92 |
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ST |
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ST |
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ST |
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TO-92 |
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