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STW8NC80Z中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STW8NC80Z
厂商型号

STW8NC80Z

功能描述

N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH?줚II MOSFET

文件大小

263.57 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:30:00

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STW8NC80Z规格书详情

DESCRIPTION

The third generatio- of MESH OVERLAY™ Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsur passed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes betwee- gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as request ed by a large variety of single-switch applications.

- TYPICAL RDS(on) = 1.3 Ω

- EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY GATE TO-SOURCE ZENER DIODES

- 100 AVALANCHE TESTED

- VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

- GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

- SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS, COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION

- WELDING EQUIPMENT

产品属性

  • 型号:

    STW8NC80Z

  • 功能描述:

    MOSFET TO-247

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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