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STW30NM60D	文件：351 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.145Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW30NM60D	文件：244.48 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB30NM60N	文件：768.37 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.1廓,25A,MDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,TO-247,D2PAK,I2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB30NM60ND	文件：344.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB30NM60ND	文件：798.01 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.11廓,25AFDmesh??IIPowerMOSFET(withfastdiode)TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK,TO-247 Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybody	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB30NM60ND	文件：289.97 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V-0.11廓-25ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247FDmesh??IIPowerMOSFET(withfastdiode) Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybody	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STF30NM60ND	文件：318.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF30NM60ND	文件：798.01 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.11廓,25AFDmesh??IIPowerMOSFET(withfastdiode)TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK,TO-247 Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybody	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW30NM60D
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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