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STW19NM65N规格书详情
Description
This series of devices implements the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STW19NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 650V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1070 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
08+ |
TO-247 |
1070 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
TO247 |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST/意法 |
08+ |
TO-247 |
1070 |
询价 | |||
ST |
25+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
TO247 |
3827 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO247 |
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询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-247 |
27901 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-247 |
1070 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 |
