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STW12NK80Z中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
STW12NK80Z |
| 功能描述 | N-channel 800 V, 0.65Ω typ., 10.5 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-247 |
| 文件大小 |
695.11 Kbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 20:00:00 |
| 人工找货 | STW12NK80Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STW12NK80Z规格书详情
特性 Features
■ Extremely high dv/dt capability
■ Improved esd capability
■ 100 avalanche tested
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitances
■ Very good manufacturing reliability
Applications
■ Switching applications
描述 Description
These devices are N-channel Zener-protected
Power MOSFETs developed using
STMicroelectronics' SuperMESH™ technology,
achieved through optimization of ST's well
established strip-based PowerMESH™ layout. In
addition to a significant reduction in onresistance,
this device is designed to ensure a
high level of dv/dt capability for the most
demanding applications.
产品属性
- 型号：
STW12NK80Z
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO247 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-247-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST |
08+ |
TO-247 |
1470 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
8795 |
询价 | |||
ST |
2511 |
原厂原封 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
st |
23+ |
TO-247 |
10000 |
全新、原装 |
询价 | ||
ST/意法 |
08+ |
TO-247 |
1470 |
询价 | |||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 |
