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STP120NF10	文件：371.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP120NF10	文件：946.25 Kbytes Page：21 Pages	N-channel100V,0.009ohm,110ASTripFETIIPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFET™processhasspecificallybeendesignedtominimizetheon-resistance.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfortelecom	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STP120NF10	文件：393.94 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL100V-0.009W-120AD2PAK/TO-220STripFETIIPOWERMOSFET Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFET™processhasspecificallybeendesignedtominimizetheon-resistance.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersfortelecom	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STW120NF10
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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