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BA591	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BA591WS	文件：208.58 Kbytes Page：3 Pages	BANDSWITCHINGDIODE Features •VerysmallplasticSMDpackage •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Smallinductance	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BF591	文件：49 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-202;SOT128Bplasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.150mA) •Highvoltage(max.210V). APPLICATIONS •Telephonesystems.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG591	文件：106.7 Kbytes Page：12 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplastic,4-pinSOT223package. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS IntendedforapplicationsintheGHzrange	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG591	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ591	文件：87.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforuseinMATVorCATVamplifiersandRF communicationssubscribersequipment.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFQ591	文件：263.58 Kbytes Page：11 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ591	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ591	文件：72.36 Kbytes Page：11 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ591	文件：251.8 Kbytes Page：11 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS IntendedforapplicationsintheGHzrangesuchasMATV orCATVamplifiersandR	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ591	文件：148.5 Kbytes Page：4 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforuseinMATVorCATVamplifiersandRF communicationssubscribersequipment.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C591	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) •Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CL-591S	文件：94.18 Kbytes Page：1 Pages	LEDForFlashLightSource LEDForFlashLightSource ●Highoutputtypewithreflectorequipped.	CITIZEN Citizen Electronics Co., Ltd	CITIZEN
CMLT591E	文件：90.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPLowVCE(Sat)1.0Amptransistor DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT591EisaPNPLowVCE(SAT)1.0Amptransistor,epoxymoldedinaspacesavingSOT-563surfacemountpackageanddesignedforapplicationsrequiringahighcurrentcapabilityandlowsaturationvoltages. MARKINGCODE:L59	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMMT591	文件：137.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPtransistor	CDIL CDIL	CDIL
CMMT591	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
CMMT591A	文件：196.6 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTOR PNPEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTOR ComplementaryCMMT491A	CDIL CDIL	CDIL
CMPT591	文件：100.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT591EtypeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighcurrent,generalpurposeamplifierapplications. MarkingCodeisC59.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT591E	文件：100.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT591EtypeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighcurrent,generalpurposeamplifierapplications. MarkingCodeisC59.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP591	文件：209.49 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorPNP-Amp/SwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize19x19MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea3.5x4.3MILS EmitterBondingPadArea3.5x4.5MILS TopSideMetalizationAl-	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
STUS591
制造商：
EIC
制造商全称：
EIC discrete Semiconductors
功能描述：
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	STUS591	EIC	2019+PB	SMA	87000	原装正品可含税交易	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	STUS591	EIC	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳诚思涵科技有限公司	STUS591	EIC	19+	SMA	200000	库存大量现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	STUS591	EIC	20+	SMA	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市维尔达电子有限公司	STUS591	EIC	2023+	SMA	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	STUS591	EIC	2020+	SMA	18800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!	询价
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	STUS591	EIC	24+	SMA	87000	原装现货假一赔十	询价
深圳市大联智电子有限公司	STUS591	EIC	22+	SMA	354000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	STUS591	EIC		SMA	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市广弘电子有限公司	STUS591	STUS591	2019+PB	SMA	87000	13632880263	询价

更多STUS591供应商更新时间2024-6-6 14:00:00

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