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STU9916L	文件：900.03 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package. 文件：900.03 Kbytes 页数：8 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STU9916L	文件：1.01575 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.01575 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STU9916L	文件：756.21 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：756.21 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STU9916L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	Samhop 三合微科	Samhop

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更多STU9916L供应商更新时间2025-10-4 14:14:00