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STU95N3LLH6

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =4.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.46 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STU95N3LLH6

N-channel 30 V, 0.0037 廓 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

文件:936.51 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STU95N3LLH6

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:893.14 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STU95N3LLH6

N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

ST

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STU95N3LLH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 30 V 80 A DPAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STU95N3LLH6供应商 更新时间2025-10-4 10:09:00