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STU70N2LH5

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.59 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STU70N2LH5

N-channel 25 V, 0.006 廓, 48 A - DPAK - IPAK STripFET??V Power MOSFET

文件:232.2 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STU70N2LH5

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:861.43 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STD70N2LH5

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:299.2 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STD70N2LH5

N-channel 25 V, 0.006 廓, 48 A - DPAK - IPAK STripFET??V Power MOSFET

文件:232.2 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STU70N2LH5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 25V-0.006ohms 48A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STU70N2LH5供应商 更新时间2025-10-4 10:09:00