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STS05DTP03数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
STS05DTP03 |
| 参数属性 | STS05DTP03 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS NPN/PNP 30V 5A 8SO |
| 功能描述 | Dual NPN-PNP complementary bipolar transistor |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-12 12:15:00 |
| 人工找货 | STS05DTP03价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STS05DTP03规格书详情
简介
STS05DTP03属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由制造生产的STS05DTP03晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 产品编号：
STS05DTP03
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
5A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 250mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1A，2V
- 功率 - 最大值：
2W
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
TRANS NPN/PNP 30V 5A 8SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
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询价 | ||
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HCH |
原厂封装 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
