STRH8N10中文资料抗辐照N沟道100V - 6A MOSFET数据手册ST规格书
STRH8N10规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET is developed with STMicroelectronics unique STripFET™process. It has specifically been designed to sustain high TID and provide immunity to heavy ion effects.
This Power MOSFET is fully ESCC qualified.
特性 Features
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Hermetic package
• 50 krad TID
• SEE radiation hardened
技术参数
- 制造商编号
：STRH8N10
- 生产厂家
：ST
- Radiation Level
：50 krad (Si) - SEE hardened
- Agency Qualification
：ESCC
- Agency Generic Spec
：5205/023
- Hi-Rel Package
：SMD.5
- Transistor Polarity
：N-Channel
- VDSS_max(V)
：100
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6
- RDS(on)_max(Ω)
：0.3
- Temperature range
：-55 to 150 C
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