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STQ1NK60ZR-AP

N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET

Description This device is a N-channel SuperMESH™ that is obtained through an optimization of STMicroelectronics’ well-established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on resistance significantly lower, it also ensures very good dv/dt capability for the most demanding applicati

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STQ1NK60ZR-AP

N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET

文件:732.82 Kbytes 页数:14 Pages

Microsemi

美高森美

STQ1NK60ZR-AP

N-channel 600V - 13廓 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH??Power MOSFET

文件:466.83 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STQ1NK60ZR-AP_07

N-channel 600V - 13廓 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH??Power MOSFET

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意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STQ1NK60ZR-AP

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SuperMESH™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多STQ1NK60ZR-AP供应商 更新时间2025-12-2 11:51:00