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STQ1HN60K3-AP中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STQ1HN60K3-AP
厂商型号

STQ1HN60K3-AP

功能描述

Gate charge minimized

文件大小

1.18691 Mbytes

页面数量

14

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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产品属性

  • 型号:

    STQ1HN60K3-AP

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    600 V

  • 闸/源击穿电压:

    30 V

  • 漏极连续电流:

    0.4 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    6.7 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    TO-92

  • 封装:

    Ammo

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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