Automotive 1200 V, 20 A, silicon carbide power Schottky diode

Features • AEC-Q101 qualified • No or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Robust high voltage periphery • PPAP capable • Operating Tj from -40 °C to 175 °C • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. • ECOPACK compliant

文件：467.51 Kbytes 页数：14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

原厂封装

ST

上传：深圳市力拓辉电子有限公司

TO-247

ST

上传：深圳市凌旭科技有限公司

TO-220-2

ST

上传：深圳市华康联电子科技有限公司

TO-92

ST

上传：深圳市美思瑞电子科技有限公司