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STPS30M120SR

Package:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 30A I2PAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

V30M120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in

文件:150.92 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V30M120C

Low forward voltage drop, low power losses

文件:144.59 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB30M120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:105.26 Kbytes 页数:4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

产品属性

  • 产品编号:

    STPS30M120SR

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    30A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    I2PAK

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A I2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STPS30M120SR供应商 更新时间2026-4-21 16:12:00