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STP8N120K5中文资料N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STP8N120K5

功能描述

N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:00:00

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STP8N120K5规格书详情

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STP8N120K5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :2

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :6

  • PTOT_max(W)

    :130

  • Qg_typ(nC)

    :13.7

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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