STP77N6F6中文资料N-channel 60 V, 0.0063 Ohm typ., 77 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a TO-220 package数据手册ST规格书
STP77N6F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
R
DS(on)* Q
gindustry benchmark
Extremely low on-resistance R
DS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
Very low switching gate charge
技术参数
- 型号：
STP77N6F6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 60V 6.6mOhm 77A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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