STP77N6F6数据手册ST中文资料规格书
STP77N6F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
R
DS(on)* Q
gindustry benchmark
Extremely low on-resistance R
DS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
Very low switching gate charge
技术参数
- 型号：
STP77N6F6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 60V 6.6mOhm 77A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
1822+ |
TO-220 |
9852 |
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ST |
22+ |
TO220 |
40142 |
原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO220 |
45993 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
2019 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO220 |
45993 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
ST |
1746+ |
TO-220 |
25 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
