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STP6NS25	文件：371.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 1.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP6NS25	文件：266.89 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 6A TO-220 MESH OVERLAY??MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performance. The new patented STrip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, makes it suitable in coverters for li 文件：266.89 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP6NS25	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 6A TO-220 MESH OVERLAY™ MOSFET	ST 意法半导体	ST
STP75NF20	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体上传：深圳市壹芯创科技有限公司	STMICROELECTRONICS
STP75NF68	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	ST 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	ST

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更多STP6NS25供应商更新时间2025-12-14 16:00:00