STP6N62K3中文资料N沟道620 V、0.95 Ohm典型值、5.5 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP6N62K3规格书详情
描述 Description
This MDmesh K3 Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STP6N62K3
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：620
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5.5
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：34
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST(意法半导体) |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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