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STP60NE06-16中文资料PDF规格书
STP60NE06-16规格书详情
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance,rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
FEATURES SUMMARY
■ TYPICAL RDS(on) = 0.013 Ω
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100°C
■ HIGH dv/dt CAPABILITY
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
■ DC MOTOR CONTROL
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION
产品属性
- 型号:
STP60NE06-16
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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ST/意法 |
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ST |
23+ |
NA |
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ST |
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ST/意法 |
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ST |
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