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STP5NA60FI	文件：205.87 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STP5NA60FI	文件：318.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=1.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
P5NA60FI	文件：205.87 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STP5NA60	文件：371.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=1.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STP5NA60	文件：205.87 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

详细参数

型号：
STP5NA60FI
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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