STP260N4F7中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	STP260N4F7
功能描述	N-channel 40 V, 1.8 mΩ typ., 120 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a TO-220 package
丝印标识	260N4F7
封装外壳	TO-220
文件大小	683.86 Kbytes
页面数量	13 页
生产厂商	STMICROELECTRONICS
中文名称	意法半导体
网址	网址
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更新时间	2025-12-11 8:08:00
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特性 Features

 Among the lowest RDS(on) on the market

 Excellent FoM (figure of merit)

 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

 High avalanche ruggedness

Applications

 Switching applications

描述 Description

This N-channel Power MOSFET utilizes

STripFET™ F7 technology with an enhanced

trench gate structure that results in very low onstate

resistance, while also reducing internal

capacitance and gate charge for faster and more

efficient switching.

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